OTF-1200X-4-RTP-C3HV 高真空快速CVD系统
应用范围：高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，最快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
产品型号：OTF-1200X-4-RTP-C3HV
高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火，并采用 10KW的红外灯进行加热，最快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
| 功能特点 |
|---|
双层Al2O3纤维钢构，无需水冷或风冷。
内炉膛表面涂有进口高温氧化铝涂层，可以提高设备的加热效率及延长仪器的使用寿命。
PID控制器，可以设置30段升降温程序，并设有过热保护和断偶功能。
已通过CE认证。
| 技术参数 | |
|---|---|
| 安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。 |
| 水 | 不需要。 |
| 电 | AC220V 50Hz，必须有良好接地 |
| 气 | 设备腔室内需充注气体，需自备气瓶气源 |
| 工作台 | 尺寸1600mm×600mm×700mm，承重150kg以上 |
| 通风装置 | 需要 |
| 电源 | 单相208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW |
| 石英管 | 外径Ø110mm，内径Ø103mm，长380mm |
| 加热元件 | 8根红外灯管，灯丝长200mm，丝圈Ø10mm，灯长300mm |
| 加热区 | 300mm |
| 工作温度 | 最高温度1100℃ |
| 控温精度 | ±0.5℃ |
| 最高升温速度 | RT-800℃时为50℃/s，800℃-1000℃时为10℃/s |
| 温控仪 | 可控硅（SCR）PID自动控制 |
| 温控仪 | 可控硅（SCR）PID自动控制 |
| 真空法兰 | 不锈钢，带有水冷接口和针阀，双层高温O型圈密封，长时间在>900℃条件下运行必须采用水冷，循环水流量为0.5m3/hr |
| 真空度 | 10-2torr（机械泵），10-5torr（分子泵） |
| 质量流量计 | 3个，MFC1范围0-100sccm，MFC2范围0-200sccm，MFC3范围0-500sccm，精度1±%FS |
| 混气罐 | Ø80mm×120mm |
| 炉体尺寸 | 760mm×330mm×530mm |
| 炉体重量 | 45kg |
| 真空混气系统尺寸 | 600mm×600mm×597mm |
| 真空混气系统重量 | 75kg |
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